自主研发的SiC、GaN技术，实现更低导通损耗和更快开关速度。
严格的质量控制和多项专利技术，确保产品在极端环境下依然稳定运行。
从低压屏蔽栅、超结、IGBT到功率模块、功率IC，一站式供应满足多场景需求。
“新亚鸿提供的SiC MOSFET显著提升了我们逆变器的效率，降低了整体系统成本。”
“卓越的技术支持和快速的交付让我们在新能源汽车项目中抢占了先机。”
“产品质量稳定，帮助我们在高压电源项目中实现了更高的可靠性。”
杭州新亚鸿电子科技有限公司专注于半导体功率器件的研发与生产，核心产品包括低压屏蔽栅（SGT）、高压超结（SJ）以及沟槽栅场截止型IGBT，广泛应用于工业控制、汽车电子、能源转换等领域。
公司拥有自主知识产权的SiC肖特基二极管（SBD）和SiC MOSFET技术，提供高效率、高可靠性的功率解决方案，帮助客户在新能源、5G基站、服务器等高功耗场景中实现显著的能耗降低。
凭借GaN HEMT功率放大器以及高功率模块（IPM）组合，新亚鸿能够满足从消费电子到航空航天的多样化需求，持续推动功率半导体行业的技术升级。