采用立体沟槽和高精度平面处理技术，提升器件耐压与导通性能。
研发团队曾服务于全球知名半导体企业，技术经验丰富。
产品覆盖电动汽车、绿色新能源、市电整流电源等多个领域。
“鑫德鑫的IGBT模块在我们新能源项目中表现出色，可靠性极高。”
— 某新能源公司技术总监“MOSFET产品的快速交付和专业技术支持让我们的电动汽车研发进度大幅提升。”
— 某汽车制造商研发工程师“二极管系列产品稳定性佳，适用于我们的大功率市电整流电源。”
— 某电源厂商项目经理深圳市鑫德鑫科技有限公司专注于大功率MOSFET、IGBT和二极管等半导体器件的研发、制造与销售，提供高可靠性的解决方案，满足电动汽车、绿色新能源以及市电整流电源等行业的苛刻需求。
我们的产品采用先进的立体沟槽工艺和高精度平面处理技术，确保MOSFET、IGBT器件在高压高频环境下依然保持卓越的性能和稳定性。
凭借多年在全球半导体企业的研发经验，鑫德鑫科技为客户提供定制化的二极管方案，帮助提升系统效率，降低能耗。