专业研发、生产6英寸碳化硅（SiC）单晶衬底及外延片，服务5G通讯、新能源汽车、电力电子、智能电网等新兴产业。
立即获取采用先进气相沉积技术，硅碳化物晶体缺陷率低于行业标准0.5%。
SiC衬底能在高压下保持低能耗，提升电力电子系统效率10%以上。
6英寸单晶线宽产能达每月3000片，实现快速交付。
广泛用于5G基站、驱动电机、逆变器、智能电网等关键场景。
“重投天科的SiC衬底极大提升了我们逆变器的功率密度和可靠性，交付速度也很快。”
“在新能源汽车项目中，SiC材料的高温耐受性让我们实现了更长续航。”
“合作过程专业高效，技术支持团队响应及时，值得长期合作。”
深圳市重投天科半导体有限公司专注于碳化硅（SiC）衬底与外延片的研发与生产，凭借领先的技术，为5G通讯、新能源汽车、电力电子及智能电网提供可靠的关键材料。
公司拥有6英寸SiC单晶生产线，确保高可靠性与高效率，广泛应用于高功率密度的逆变器、功率模块以及新能源汽车驱动系统。
选择重投天科，您将获得行业领先的碳化硅材料、快速的交付保障以及专业的技术支持，助力企业实现产品价值最大化。