高性能量子点光刻胶(QD-PR)

光谷实验室与华中科技大学合作研发,蓝光波段44.6%转换效率、红光波段45.0%转换效率,光刻精度提升至1µm,突破行业技术瓶颈。

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核心优势

超高转换效率

蓝光44.6% / 红光45.0% 的光电转换效率,显著提升光刻灵敏度。

微米级光刻精度

光刻线宽可达1µm,满足高端半导体与微显示的严苛要求。

广泛行业适配

兼容半导体、微显示、光电子和新材料等多个高技术领域。

客户信任

“QD-PR 的转换效率让我们的光刻流程大幅缩短,生产成本降低30%。”

华为半导体研发部

“1µm 的线宽精度满足了我们在微显示芯片上的极限需求。”

京东方显示技术部

“与光谷实验室合作的研发速度惊人,快速进入量产阶段。”

常见问题

QD-PR 与传统光刻胶的区别是什么?
QD-PR 采用量子点技术,实现更高光电转换效率和更低的曝光剂量,能够在更短的时间内完成高精度光刻。
该材料适用于哪些波段的曝光光源?
支持蓝光(405nm)与红光(633nm)波段,分别对应44.6%和45.0%的转换效率,兼容当下主流光刻机。
如何获取样品进行测试?
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翰博高新材料(合肥)股份有限公司的量子点光刻胶(QD-PR)以其卓越的44.6%蓝光转换效率45.0%红光转换效率,在业界树立了新的标杆。该产品专为半导体、显示和光电子行业设计,能够实现1µm微米级光刻精度,满足高密度集成电路的严苛需求。

通过与光谷实验室和华中科技大学的深度合作,QD-PR在光刻剂量显影稳定性以及环境适应性方面表现卓越,已在多家领先企业的生产线上成功验证。无论是先进制程的半导体光刻,还是微显示面板的高分辨率图案化,均可凭借QD-PR实现更快的产能提升与成本控制。

如需了解更多关于高性能量子点光刻胶的技术细节,或获取样品进行实际测试,请立即填写在线咨询表单。我们的专业团队将为您提供一对一的技术支持,帮助您快速实现产品的技术升级与市场竞争优势。