吉光半导体科技有限公司基于GaAs与InP衬底，提供全流程外延生长、波长450nm‑2050nm覆盖、功率1W‑1000W定制以及自动化芯片测试与可靠性验证，助力您的高频光电子业务快速落地。
立即获取基于GaAs / InP全线产能，结构灵活定制。
450nm至2050nm，全波段支持，多波长混合应用。
功率范围1W‑1000W，满足不同功率需求。
自动化芯片测试、分选、高频测试及可靠性验证。
“吉光的GaAs外延片质量稳定，交付准时，帮助我们在光通讯项目上快速实现量产。”
“他们提供的InP多波长混合方案，为我们的激光雷达模块带来了突破性的提升。”
“从外延到自动化测试全链路服务，让我们的高频功率放大器项目省时省力。”
吉光半导体科技有限公司专注于GaAs和InP外延技术，为客户提供从材料研发、外延生长到自动化测试的全链路解决方案。无论是光通讯、激光雷达还是高频功率放大器，均可通过我们的平台实现波长450nm至2050nm的灵活覆盖和功率1W‑1000W的精准定制。
选择吉光，您将获得可靠的光电子外延片、专业的芯片测试与分选服务，以及完整的可靠性验证流程。我们的GaAs外延片在光波导、光电探测器以及高频射频前端领域拥有广泛应用，帮助企业快速实现产品商业化。