提升沉积均匀性，降低工艺波动，实现更高的良率。
模块化设计，快速切换工艺，实现产能最大化。
高精度气体控制，确保薄膜厚度毫微米级误差。
智能工艺监控与数据分析，助力精益制造。
研微的双腔流道技术显著提升了我们产品的薄膜均匀性，良率提升约15%。
Fluxus平台的模块化让我们快速完成从ALD到SiGe外延的工艺切换，缩短研发周期30%。
研微半导体科技有限公司（PSR研微）在薄膜沉积领域拥有多年研发经验，专注于原子层沉积（ALD）技术的创新与产业化，帮助客户实现高均匀性、低缺陷的薄膜沉积。
通过双腔流道结构和Fluxus平台，研微的等离子体沉积设备在提升产能的同时，保持了极佳的工艺稳定性，适用于先进封装、3D NAND、功率器件等多种场景。
我们提供完整的硅锗外延、选择性刻蚀以及碳化硅外延解决方案，配合Celeritas-8气体传输系统和Exsequi软件平台，为第三代半导体器件提供全流程技术支持。