领先的GaN半导体解决方案

从外延到封装,一站式全链条技术能力,助您实现更高效、更可靠的功率应用。

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产品优势

高效率&低损耗

增强型GaN器件具备极低的导通电阻,实现更高的能效转换。

宽工作温度

GaN器件耐高温,适用于严苛环境的功率系统。

高速开关

开关速度快,显著降低开关损耗,提升整体系统性能。

客户信任

“能华的GaN芯片在我们新能源项目中的表现超出预期,功率密度提升了30%!”

某新能源公司技术总监

“从晶圆到封装全流程的专业服务让我们的产品快速进入市场。”

某消费电子企业研发主管

“GaN直驱方案显著降低了系统成本,并提升了可靠性。”

适合的应用场景

  • 新能源逆变器
  • 电动汽车功率驱动
  • 高频通信前端
  • 工业自动化电源

在线咨询

江苏能华微电子科技发展有限公司是国内领先的第三代半导体GaN技术提供商,拥有完整的IDM全产业链布局,覆盖GaN‑on‑Si、GaN‑on‑Sapphire以及GaN‑on‑SiC等多种基板技术。公司产品涵盖40 V至1200 V的6英寸/8英寸GaN晶圆和功率器件,广泛应用于新能源、汽车电子、通信、工业自动化等关键领域。

能华的增强型GaN技术、耗尽型GaN技术以及耗尽型GaN直驱方案在行业内具有独特竞争优势,能够帮助客户实现更高的功率密度、更低的系统损耗以及更快的开关速度。无论是大型电源系统还是小型高频模块,能华都能提供量身定制的解决方案。

如果您对GaN半导体、功率器件或相关技术有任何需求,欢迎通过上方表单提交咨询,我们的专业团队将在第一时间与您取得联系,为您提供最合适的产品与服务。

常见问题

GaN器件具有更高的电子迁移率、更低的导通电阻以及更快的开关速度,能够实现更高的功率密度和更低的系统损耗,尤其适用于高频、高效率的功率转换场景。

我们提供6英寸和8英寸的GaN晶圆,电压范围覆盖40 V至1200 V,兼容GaN‑on‑Si、GaN‑on‑Sapphire以及GaN‑on‑SiC基板。

请通过页面下方的在线咨询表单提交您的需求,我们的技术团队将在收到信息后与您取得联系,安排样品提供或技术交流。